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中科院半导体所在制备立式InSb二维单晶纳米片国际竞争中取得领先位置

编译者:姜山发布时间:2016-11-15点击量:506 来源栏目:成员单位动态

  2015 年 10 月在西班牙巴塞罗那举行的纳米线生长国际研讨会( Nanowire Growth Workshop & Nanowires Workshop )上, 中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员 在邀请报告中首次介绍了其团队制备出 高质量立式 InSb 二维单晶纳米片,引起强烈反响。她同时获知国际上其它几个研究组也在竞相寻求这方面工作的突破。 回国后,赵建华团队成员与合作者北京大学徐洪起教授等抓紧完成了文章初稿的撰写。事实上, 2013 年赵建华的博士生潘东就生长出高质量立式 InSb 二维单晶纳米片,然后进行了大量的结构和性能表征。

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