对于先进的电子器件来说，大规模二维(2D)材料集成到半导体晶圆上是非常需要的，但诸如转移相关的裂纹、污染、皱折和掺杂等挑战仍然存在。

在此，来自国防科技大学和北京大学等单位研究者，采用原子分辨扫描透射电子显微镜结合密度泛函理论计算，展示了Ca和Si等价掺杂共偏析引起α-Al2O3中的GB结构转变。相关论文以题为“Integrated wafer-scale ultra-flat graphene by gradient surface energy modulation”发表在Nature Communications上。