美国军方研究人员将持续开展一项研究项目，该项目将从制造到系统集成层面布局，旨在为可信计算应用开发安全的集成电路技术。

位于美国佛吉尼亚州阿灵顿的美国国防先期研究计划局(DARPA)的官员上周宣布，在 “电子复兴”计划（ERI）框架内新设立“国防应用” (DA)项目，并发布了招标书(HR001119S0018)。该项目是美国国防先期研究计划局（DARPA）“电子复兴”计划（ERI）第二阶段的项目之一。DARPA在去年12月已向工业界简要介绍了该项目。

“国防应用” (DA)项目的目的包括：利用现有技术开发革命性和颠覆性技术以增强美国国防能力，支持其国内安全集成电路制造需求；投资芯片安全领域研究；以“电子复兴”计划为支撑研发用于国防应用的技术。

据美国国防先期研究计划局（DARPA）官员讲，他们希望能够促进各组织之间的合作，使电子创新迅速融入军事硬件开发领域。美国国防先期研究计划局（DARPA）正在寻找全新途径来开展美国现有或新兴的军事项目研究。预计总投入资金在3500万美元到5000万美元之间。

“国防应用” (DA)项目建立在现有“电子复兴”计划的基础上，通过完善美国国内半导体制造流程，推动国防电子系统集成商加速专用集成电路研发。应用领域主要包括：机器自动化和人工智能；大规模仿真；网络安全；空间应用程序；认知电子战；情报、监视和侦察（ISR）。

“电子复兴计划:国防应用” (ERI:DA)项目主要包括三个执行要求，每一个都需要在国防、商业和学术界之间建立恰当的合作伙伴关系。

第一，要在一个或多个“电子复兴计划”（ERI）项目执行者和可交付军事技术的组织之间建立伙伴关系，直接开发“电子复兴”计划技术，提案必须确定符合“电子复兴”计划要求的规划、所有合作伙伴的情况以及在现有或计划的军事系统中的实施途径。

第二，要与未与“电子复兴”计划项目建立关系的公司确定合作伙伴关系，使其在具有明确防御能力的前提下，开发和使用“电子复兴计划”（ERI）技术。

第三，针对基础设施建设领域，如在设备和人员等方面，加强和促进国防工业界、政府、“电子复兴”计划项目参与者和其他科学技术组织之间的合作。

这些执行要求应适用于现有“电子复兴”计划项目，涉及材料和集成、电路设计、系统架构三大领域的项目。

目前，应用于材料和集成领域的项目为：“通用异构集成与知识产权再利用策略”（CHIPS）项目;“三维单芯片系统”（3DSoC）项目;“新式计算基础需求”（FRANC）项目。

应用于电路设计领域的项目包括：“实现快速的集成电路”（CRAFT）项目；“电子设备智能设计”（IDEA）项目；“高端开源硬件”（POSH）项目。

应用于系统架构领域的项目包括：“软件定义硬件”（SDH）项目；“特定领域片上系统”（DSSoC）项目。以及用于基础性研究的包括“联合大学微电子计划”（JUMP）项目。

2017年6月，美国国防先期研究计划局（DARPA）正式开启了电子复兴计划的第一阶段研究，总支出超过15亿美元，以提升微电子技术能力，超越传统晶体管缩放极限的限制，同时指出了该计划对于美国国防的影响。2018年7月，美国国防先期研究计划局（DARPA）启动了“电子复兴”计划首批六个项目。

有兴趣参与“电子复兴计划:国防应用” (ERI:DA)项目的公司需在2019年2月15日前将摘要上传到美国国防高级研究计划局广泛机构公告(DARPA BAA)网站。2019年3月28日之前将完整的提案作为zip文件上传到美国国防高级研究计划局广泛机构公告网站。